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IRF9510STRRPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-Chan 100V 4.0 Amp RoHS: Not compliant | 搜索 |
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IRF9510STRR | VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK 详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK 型号:IRF9510STRR 仓库库存编号:IRF9510STRR-ND | 含铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRF9510S |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.2 欧姆 @ 2.4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.7nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |