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产品信息

• 场效应管 MOSFET NN
• 晶体管极性: N沟道
• 电流, Id 连续: 11A
• 漏源电压, Vds: 30V
• 在电阻RDS（上）: 11.8mohm
• 电压 @ Rds测量: 10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.8V
• 功耗, Pd: 2W
• 工作温度最小值: -55°C
• 工作温度最高值: 150°C
• 封装类型: SOIC
• 针脚数: 8
• SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
• 封装/箱盒: SOIC
• 模块配置: 双
• 漏极电流, Id 最大值: 11A
• 漏极连续电流, Id N沟道 2: 9.1A
• 漏极连续电流, Id N沟道3: 11A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
• 电压, Vds 典型值: 30V
• 电压, Vgs 最高: 1.8V
• 表面安装器件: SMD
• 通态电阻, N沟道2: 9.8ohm
• 通态电阻, 沟道1: 13.7ohm

产地： TH Thailand

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