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| IRF7905PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7905PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Dual N-Channel 30 V 21.8 mOhm 4.6 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF7905PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, ID 7.8 A (Control FET), 8.9 A (Synchronous FET) RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF7905PB | International Rectifier | MOSFET，双，N沟道，30V，7.8A/8.9A，SO8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7905PB International Rectifier | MOSFET，双，N沟道，30V，7.8A/8.9A，SO8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： IRF7905PBF 品牌： Infineon 库存编号： 700-3172 | 搜索 |
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IRF7905PBF | 1791580 | INFINEON 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.9 A, 30 V, 0.0174 ohm, 10 V, 1.8 V (EN) | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 6.9（晶体管 1）ns，8.1（晶体管 2）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.2（晶体管 1）ns，6.2（晶体管 2）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V（晶体管 1），6.9 nC @ 4.5 V（晶体管 2） | |
| 典型输入电容值@Vds | 600 pF @ 15 V（晶体管 1），910 pF @ 15 V（晶体管 2） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 17.1（晶体管 2）mΩ，23.4（晶体管 1）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 7.8（晶体管 1）A，8.9（晶体管 2）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
