| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7842TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7842PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 40V, SO-8
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| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 40 V 5 mOhm 33 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 40V, RDS(ON) 4 Milliohms, ID 18A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7842PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7842PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 18A, 2.5W, SO8, HEXFET?
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| IRF7842PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, SO
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| IRF7842PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，40V，18A，HEXFET，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF7842PBF 品牌： Infineon 库存编号： 688-6879 | 搜索 |
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 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 4 Milliohms; ID 18A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V 型号：IRF7842PBF 仓库库存编号：70017007 |   | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 40 V 14 A 2.5 W SO-8, IRF7842PBF, IR 型号：IRF7842PBF 仓库库存编号：171-38-126 | 搜索 |
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 | IRF7842PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，40V，18A，HEXFET，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7842PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7842PBF. INTERNATIONAL RECTIFIER | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7842PBF.. INTERNATIONAL RECTIFIER | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRF7842PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF7842PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，40V，18A，HEXFET，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7842PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 4500 pF V @ 20 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.005 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
