IRF7807PBF,IRF7807PBF|INTERNATIONAL RECTIFIER-IRF7807PBF原装现货,PDF下载
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IRF7807TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807PBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, 30V, 8.3A, 25 MOHM, 12 NC QG, SO-8

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IRF7807PBF
INFINEON IRF7807PBF
1013442

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 25 mohm, 4.5 V, 1 V

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IRF7807PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRF7807PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N 2.5W 8-SOIC
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场效应管 MOSFET N 2.5W 8-SOIC
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IRF7807PBF|INTERNATIONAL RECTIFIER
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7807PBF
制造商型号: IRF7807PBF
制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER
描述: 场效应管 MOSFET N 2.5W 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 2.5W 8-SOIC
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 8.3A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS(上): 25mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  • 功耗, Pd: 2.5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 漏极电流, Id 最大值: 8.3A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 1V
  • 表面安装器件: SMD
产地: MY Malaysia

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