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IRF7805QPBF
- 场效应管 MOSFET N SO-8 - IRF7805QPBF
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7805QPBF
制造商型号:
IRF7805QPBF
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET N SO-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N SO-8
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 13A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 11mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 2.5W
封装类型: SOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 2.5W
功耗, Pd: 2.5W
封装/箱盒: SOIC
漏极电流, Id 最大值: 13A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds: 30V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs 最高: 3V
电流, Idm 脉冲: 100A
电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值: 22nC
表面安装器件: SMD
产地: MY Malaysia
手机网站相关详细信息:
IRF7805QPBF
旗下站点
www.szcwdz.cn
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IRF7805QPBF
旗下站点
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IRF7805QPBF
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型号: IRF7805QPBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET N SO-8
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