| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7749L2TR1PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，60V，200A，Direct-FET，L8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7749L2TR1PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，60V，200A，Direct-FET，L8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7749L2TR1PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRF7749L2TR1PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8 型号：IRF7749L2TR1PBF 仓库库存编号：IRF7749L2TR1PBFCT-ND 别名：IRF7749L2TR1PBFCT <br> | | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 60 V 33 A 3.3 W DirectFET, IRF7749L2TR1PBF, IR 型号：IRF7749L2TR1PBF 仓库库存编号：171-37-226 | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRF7749L2TR1PBF 品牌： Infineon 库存编号： 716-5371 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 78 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 200 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 12320 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 7.1mm | |
| 封装类型 | DirectFET L8 | |
| 尺寸 | 9.15 x 7.1 x 0.7mm | |
| 引脚数目 | 11 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 200 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、八源、单 | |
| 长度 | 9.15mm | |
| 高度 | 0.7mm |
