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IRF7603PBF
- 场效应管 MOSFET N MICRO-8 - IRF7603PBF
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IRF7603PBF
制造商型号:
IRF7603PBF
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET N MICRO-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N MICRO-8
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 5.6A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 135mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 1.8W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: μSOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: 7603
功耗, Pd: 1.8W
功耗, Pd: 1.8W
外宽: 3.05mm
外部深度: 5.03mm
外部长度/高度: 1.11mm
封装/箱盒: Micro8
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
引脚节距: 0.65mm
排距: 4.24mm
时间, trr 典型值: 53ns
晶体管数: 1
最小正向跨导 Gfs: 4.3A/V
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 5.6A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 30V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs 最高: 20V
电压变化率 dv/dt: 5V/ns
电容值, Ciss 典型值: 520pF
电流, Idm 脉冲: 30A
电???, Qrr @ Tj = 25°C 典型值: 87nC
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
通态电阻最大值: 135mohm
阈值电压, Vgs th 最低: 1V
产地: MY Malaysia
手机网站相关详细信息:
IRF7603PBF
旗下站点
www.szcwdz.cn
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IRF7603PBF
旗下站点
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型号: IRF7603PBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET N MICRO-8
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