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IRF7555TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A Micro 8 RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF7555TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | -20V DUAL P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFETIN A MICRO 8 PACKAGE RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF7555TRPBF [更多] | International Rectifier |
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IRF7555TRPB | International Rectifier | MOSFET,双,P沟道,20V,4.3A,Micro8 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8? 型号:IRF7555TRPBF 仓库库存编号:IRF7555TRPBFCT-ND 别名:IRF7555TRPBFCT | 无铅 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 60 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 10 nC V @ 5 | |
典型输入电容值@Vds | 1066 pF V @ 10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3mm | |
封装类型 | Micro8 | |
尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.25 W | |
最大栅源电压 | ±12 V | |
最大漏源电压 | 20 V | |
最大漏源电阻值 | 0.055 Ω | |
最大连续漏极电流 | 4.3 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 双、双漏极 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 0.86mm |