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IRF7526D1TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC

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型号 制造商 描述 操作
IRF7526D1TRPBF
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Infineon Technologies AG

IRF7526D1TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 2 A, 30 V, 8-Pin MSOP

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Infineon Technologies - IRF7526D1TRPBF - MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?

型号:IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号:IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名:IRF7526D1TRPBFCT
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Infineon - IRF7526D1TRPBF - Infineon FETKY 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7526D1TRPBF, 2 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装

制造商零件编号:
IRF7526D1TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-546
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IRF7526D1TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7526D1TRPBF
制造商型号: IRF7526D1TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 IRF7526D1PBF
产品相片 8-MSOP
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列FETKY™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)200 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)180pF @ 25V
功率 - 最大值1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装Micro8?

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