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IRF7526D1TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2A 200mOhm 7.5nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF7526D1TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF7526D1TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 2 A, 30 V, 8-Pin MSOP RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF7526D1TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8? 型号:IRF7526D1TRPBF 仓库库存编号:IRF7526D1TRPBFCT-ND 别名:IRF7526D1TRPBFCT | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IRF7526D1PBF |
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产品相片 | 8-MSOP |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | FETKY™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 二极管(隔离式) |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 200 毫欧 @ 1.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 180pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商器件封装 | Micro8? |