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IRF7526D1TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF7526D1TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 2 A, 30 V, 8-Pin MSOP RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF7526D1TRPB | International Rectifier | MOSFET,P沟道,30V,2A,HEXFET,Micro8 | 查看库存、价格及货期 |
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| 制造商零件编号: IRF7526D1TRPBF 品牌: Infineon 库存编号: 301-546 | 查看其他仓库 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8 详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8? 型号:IRF7526D1TRPBF 仓库库存编号:IRF7526D1TRPBFCT-ND 别名:IRF7526D1TRPBFCT | 无铅 | 搜索 |
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典型关断延迟时间 | 19 ns | |
典型接通延迟时间 | 9.7 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 7.5 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 180 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3mm | |
封装类型 | Micro8 | |
尺寸 | 3 x 3 x 0.86mm | |
引脚数目 | 8 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1250 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.2 Ω | |
最大连续漏极电流 | 2 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 0.86mm |