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IRF7509PBF
- 场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 MICRO-8 - IRF7509PBF
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IRF7509PBF
制造商型号:
IRF7509PBF
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 MICRO-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 MICRO-8
晶体管极性: N和P沟道
电流, Id 连续: 2.7A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 110mohm
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 1.25W
封装类型: μSOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: 7509
外宽: 3.05mm
外部深度: 5.03mm
外部长度/高度: 1.11mm
封装/箱盒: Micro8
排距: 4.24mm
晶体管数: 2
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极连续电流, Id N沟道 2: 2.7A
漏极连续电流, Id P沟道: 2A
电压, Vds: 30V
电流, Idm 脉冲: 21A
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
脉冲电流, Idm N沟道(1): 21A
脉冲电流, Idm P沟道: 16A
通态电阻, N沟道 最大: 110mohm
通态电阻, P沟道 最大: 200mohm
阈值电压, Vgs th 最低: 1V
产地: MY Malaysia
手机网站相关详细信息:
IRF7509PBF
旗下站点
www.szcwdz.cn
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IRF7509PBF
旗下站点
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型号: IRF7509PBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 MICRO-8
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