数据列表 | IRF7477 |
---|---|
产品相片 | 8-SOIC |
设计资源 | IRF7477 Saber Model IRF7477 Spice Model |
标准包装 | 95 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 14A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8.5 毫欧 @ 14A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 38nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2710pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | *IRF7477 |