| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7464PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 200V, 1.2A, 730 MOHM, 9.5 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| IRF7464TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 200V, 1.2A, 730 MOHM, 9.5 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7464 | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7464 International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7464PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7464TR International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7464 仓库库存编号：IRF7464-ND 别名：*IRF7464 | 含铅 | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7464TR 仓库库存编号：IRF7464TR-ND | 含铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF7464 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 设计资源 | IRF7464 Saber Model IRF7464 Spice Model |
| 标准包装 | 95 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.2A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 730 毫欧 @ 720mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 产品目录页面 | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRF7464 |
