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MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

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MOSFET MOSFT 30V 13A 8mOhm 34nC

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Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7463TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R

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MOSFET, N-CH, 30V, 14A, SOIC

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Single N-Channel 30 V 8 mOhm 51 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Single N-Channel 30 V 8 mOhm 51 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Single N-Channel 30 V 8 mOhm 51 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Infineon Technologies - IRF7463TRPBF - MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

型号:IRF7463TRPBF
仓库库存编号:IRF7463PBFTR-ND
别名:IRF7463PBFTR
IRF7463TRPBF-ND
IRF7463TRPBFTR-ND
SP001551388
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7463TRPBF
制造商型号: IRF7463TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRF7463PbF
产品相片 8-SOIC
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRF7463 Saber Model
IRF7463 Spice Model
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)14A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)51nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3150pF @ 15V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
其它名称IRF7463PBFTR
IRF7463TRPBF-ND
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