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MOSFET, P CH, -20V, -6.7A, SOIC-8

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Single P-Channel 20 V 0.06 Ohm 50 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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Single P-Channel 20 V 0.06 Ohm 50 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8

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MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -20V, RDS(ON) 0.04Ohm, ID -6.7A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-12V

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MOSFET Transistor, P-Channel, SO

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IRF7404TRPBF
INFINEON IRF7404TRPBF
2468018

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -6.7 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -700 mV

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INFINEON IRF7404TRPBF
2468018RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -6.7 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -700 mV

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Infineon Technologies - IRF7404TRPBF - MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

型号:IRF7404TRPBF
仓库库存编号:IRF7404PBFCT-ND
别名:*IRF7404TRPBF
IRF7404PBFCT
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International Rectifier - IRF7404TRPBF - VGS +/-12V PD 2.5W SO-8 ID -6.7A RDS(ON) 0.04Ohm VDSS -20V P-Ch MOSFET, Power|70017702 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.04Ohm; ID -6.7A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V


型号:IRF7404TRPBF
仓库库存编号:70017702

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MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7404TRPBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7404TRPBF, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7404TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8917
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7404TRPBF
制造商型号: IRF7404TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRF7404PbF
产品相片 8-SOIC
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRF7404TRPBF Saber Model
IRF7404TRPBF Spice Model
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.7A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)40 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1500pF @ 15V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
产品目录页面1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IRF7404PBFTR

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