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产品信息

制造商: International Rectifier

晶体管极性: N and P-Channel

汲极/源极击穿电压: 30 V

闸/源击穿电压: 20 V

漏极连续电流: 5.8 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 75 mOhms

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

栅极电荷 Qg: 16.7 nC

功率耗散: 2.5 W

手机网站相关详细信息：IRF7379QPBF
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• 型号: IRF7379QPBF 品牌: International Rectifier 备注: MOSFET

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