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IRF7314PBF|International RectifierIRF7314PBF
International Rectifier
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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IR - IRF7314PBF - MOSFET P/P, -20 V -5.3 A 2.0 W SO-8, IRF7314PBF, IR
IR
MOSFET P/P, -20 V -5.3 A 2.0 W SO-8, IRF7314PBF, IR


型号:IRF7314PBF
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Infineon - IRF7314PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7314PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7314PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0294
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IRF7314PBF
INFINEON IRF7314PBF
9102213

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.2 A, -20 V, 0.049 ohm, -4.5 V, -700 mV

(EN)
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IRF7314PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7314PBF
制造商型号: IRF7314PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRF7314PbF
产品相片 8-SOIC
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装  95
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)58 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)29nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)780pF @ 15V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

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