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产品信息

	典型关断延迟时间	42 ns
	典型接通延迟时间	15 ns
	典型栅极电荷@Vgs	19 nC V @ 4.5
	典型输入电容值@Vds	780 pF V @ 15
	安装类型	表面贴装
	宽度	4mm
	封装类型	SOIC
	尺寸	5 x 4 x 1.5mm
	引脚数目	8
	最低工作温度	-55 °C
	最大功率耗散	2 W
	最大栅源电压	±12 V
	最大漏源电压	20 V
	最大漏源电阻值	0.058 Ω
	最大连续漏极电流	5.3 A
	最高工作温度	+150 °C
	每片芯片元件数目	2
	类别	功率 MOSFET
	通道模式	增强
	通道类型	P
	配置	双、双漏极
	长度	5mm
	高度	1.5mm

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