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International Rectifier
MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC
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IRF7307PBF
INFINEON IRF7307PBF
9102124

INFINEON

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.3 A, 20 V, 50 mohm, 4.5 V, 700 mV

(EN)
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IR - IRF7307PBF - MOSFET N/P, 20 V / -20 V 4.3 A / -3.6 A 1.4 W SO-8, IRF7307PBF, IR
IR
MOSFET N/P, 20 V / -20 V 4.3 A / -3.6 A 1.4 W SO-8, IRF7307PBF, IR


型号:IRF7307PBF
仓库库存编号:171-38-183

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Infineon - IRF7307PBF - Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7307PBF, 4.7 A,5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7307PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0705
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IRF7307PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7307PBF
制造商型号: IRF7307PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 IRF7307PbF
产品相片 8-SOIC
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装  95
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.2A,4.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)50 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)660pF @ 15V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

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