型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF7307PBF | International Rectifier | MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7307PBF![]() | 9102124 | INFINEON 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.3 A, 20 V, 50 mohm, 4.5 V, 700 mV ![]() | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N/P, 20 V / -20 V 4.3 A / -3.6 A 1.4 W SO-8, IRF7307PBF, IR 型号:IRF7307PBF 仓库库存编号:171-38-183 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRF7307PBF 品牌: Infineon 库存编号: 541-0705 | 搜索 |
数据列表 | IRF7307PbF |
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产品相片 | 8-SOIC |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 95 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.2A,4.3A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 50 毫欧 @ 2.6A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 660pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |