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IRF7105QPBF
- 双MOSFET NP SO-8 - IRF7105QPBF
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IRF7105QPBF
制造商型号:
IRF7105QPBF
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
双MOSFET NP SO-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
双MOSFET NP SO-8
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 3.5A
漏源电压, Vds: 25V
在电阻RDS(上): 83mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 2W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 2W
功耗, Pd: 2W
封装/箱盒: SOIC
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
模块配置: 双
漏极电流, Id 最大值: 3.5A
漏极连续电流, Id N沟道 2: 3.5A
漏极连续电流, Id P沟道: 2.3A
漏源电压 Vds, N沟道: 25V
漏源电压 Vds, P沟道: -25V
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 25V
电压, Vds 典型值: 25V
电压, Vgs 最高: 3V
脉冲电流, Idm N沟道(1): 21A
脉冲电流, Idm P沟道: 17A
表面安装器件: SMD
连续漏极电流 Id, N沟道: 3.5A
连续漏极电流 Id, P沟道: -2.3A
通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.14ohm
通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.3ohm
通态电阻, N沟道 最大: 100mohm
通态电阻, P沟道 最大: 250mohm
产地: MY Malaysia
手机网站相关详细信息:
IRF7105QPBF
旗下站点
www.szcwdz.cn
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旗下站点
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型号: IRF7105QPBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 双MOSFET NP SO-8
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