| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7101TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7101PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 10nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7101PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF7101PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7101PBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7101PBF [更多] | International Rectifier | Power FET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Variants: Enhancement mode
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7101PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，20V，3.5A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7101PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，20V，3.5A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7101PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7101PBF | 9102043 | INFINEON 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 20 V, 100 mohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | International Rectifier IRF7101PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC 型号：IRF7101PBF 仓库库存编号：70016974 |  | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF7101PBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-0238 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7101PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR Power FET SO-8 N 20 V 3.5 A, IRF7101PBF, IR 型号：IRF7101PBF 仓库库存编号：300-38-461 | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF7101PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7101PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，20V，3.5A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 24 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 常闭 V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 320 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω0.1 | |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
