| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF6810STR1PBF | International Rectifier | MOSFET N CH 25V 16A S1 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N CH 25V 16A S1 详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Ta），50A（Tc） 2.1W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1 型号：IRF6810STR1PBF 仓库库存编号：IRF6810STR1PBFCT-ND 别名：IRF6810STR1PBFCT | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF6810STR(1)PBF |
|---|---|
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRF6810STR1PBF Saber Model IRF6810STR1PBF Spice Model |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 16A （Ta）， 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.2 毫欧 @ 16A， 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1038pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 S1 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET S1 |
