数据列表 | IRF6798M(TR)PbF |
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产品相片 | IRF6794MTR1PBF |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
产品目录绘图 | IR Hexfet Circuit |
设计资源 | IRF6798MTR1PBF Saber Model IRF6798MTR1PBF Spice Model |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物! |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 37A (Ta), 197A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.3 毫欧 @ 37A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 75nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6560pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 2.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MX |
供应商器件封装 | DIRECTFET? MX |
其它名称 | IRF6798MTR1PBFTR |