典型关断延迟时间 | 19 ns | |
典型接通延迟时间 | 16 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 36 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 4700 pF V @ 15 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 5.05mm | |
封装类型 | DirectFET MX | |
尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | |
引脚数目 | 7 | |
最低工作温度 | -40 °C | |
最大功率耗散 | 2800 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.002 Ω | |
最大连续漏极电流 | 28 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双源、四漏极、单 | |
长度 | 5.45mm | |
高度 | 0.6mm |