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IRF6712STR1PB
制造商型号： IRF6712STR1PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，25V，17A，HEXFET，Direct-FET，SQ
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间14 ns
典型接通延迟时间11 ns
典型栅极电荷@Vgs12 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds1570 pF V @ 13
安装类型表面贴装
宽度3.95mm
封装类型DirectFET SQ
尺寸4.85 x 3.95 x 0.62mm
引脚数目6
最低工作温度-40 °C
最大功率耗散2200 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压25 V
最大漏源电阻值0.005 Ω
最大连续漏极电流17 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单
长度4.85mm
高度0.62mm

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