IRF6708S2TR1PB,IRF6708S2TR1PB|International Rectifier代理分销-IRF6708S2TR1PB原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 10 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.1 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.6 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1010 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 封装类型 | DirectFET S1 | |
| 尺寸 | 3.95 x 3.95 x 0.49mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14.3 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 36 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极 | |
| 长度 | 3.95mm | |
| 高度 | 0.49mm |
