数据列表 | IRF6706S2TR(1)PbF |
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产品相片 | IRF6706S2TR1PBF |
产品目录绘图 | IR Hexfet Circuit |
设计资源 | IRF6706S2TR1PBF Saber Model IRF6706S2TR1PBF Spice Model |
PCN Obsolescence | Gen 10.x Products 12/Dec/2012 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 17A (Ta), 63A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.8 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1810pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 S1 |
供应商器件封装 | DIRECTFET S1 |
其它名称 | IRF6706S2TR1PBFTR |