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IRF6621TR1PBF|International Rectifier
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IRF6621TR1PBF
制造商型号: IRF6621TR1PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IRF6621(TR)PbF
产品相片 IRF6711STR1PBF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
IR Hexfet Circuit
设计资源 IRF6621 Saber Model
IRF6621 Spice Model
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Ta), 55A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9.1 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)17.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1460pF @ 15V
功率 - 最大值2.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 SQ
供应商器件封装DIRECTFET? SQ
产品目录页面1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IRF6621TR1PBFTR

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