数据列表 | IRF6621 |
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产品相片 | IRF6711STR1PBF |
产品目录绘图 | IR Hexfet Circuit |
设计资源 | IRF6621 Saber Model IRF6621 Spice Model |
PCN Obsolescence | (EP) Parts 25/May/2012 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 12A (Ta), 55A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 9.1 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1460pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 SQ |
供应商器件封装 | DIRECTFET? SQ |
产品目录页面 | 1525 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IRF6621TR1TR |