IRF6609TR1,IRF6609TR1|International Rectifier代理分销-IRF6609TR1原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRF6611 |
|---|---|
| 产品相片 | IRF6614TR1PBF |
| 其它有关文件 | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 设计资源 | IRF6609 Saber Model IRF6609 Spice Model |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 31A （Ta）， 150A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2 毫欧 @ 31A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 69nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6290pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET? MT |
