| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF644STRR | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK 型号：IRF644STRRPBF 仓库库存编号：IRF644STRRPBF-ND | | 搜索 |
| Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK 型号：IRF644STRR 仓库库存编号：IRF644STRR-ND | 含铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRF644SPBF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 14A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 280 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
