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IRF6217PBF
- 场效应管 MOSFET P SO-8 - IRF6217PBF
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IRF6217PBF
制造商型号:
IRF6217PBF
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET P SO-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET P SO-8
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 700mA
漏源电压, Vds: 150V
在电阻RDS(上): 2.4ohm
电压 @ Rds测量: -10V
阈值电压, Vgs th 典型值: -5V
功耗, Pd: 2.5W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: F6217
外宽: 4.05mm
外部深度: 5.2mm
外部长度/高度: 1.75mm
封装/箱盒: SOIC
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: -700mA
电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
电压, Vds 典型值: -150V
电压, Vgs 最高: -5V
电流, Idm 脉冲: 5A
产地: US United States
手机网站相关详细信息:
IRF6217PBF
旗下站点
www.szcwdz.cn
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型号: IRF6217PBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET P SO-8
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