| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF610STRL | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF610STRL VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
| IRF610STRLPBF VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK 型号：IRF610STRL 仓库库存编号：IRF610STRL-ND | 含铅 | 搜索 |
| Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3W（Ta），36W（Tc） D2PAK 型号：IRF610STRLPBF 仓库库存编号：IRF610STRLPBF-ND | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF610STRL Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| IRF610STRLPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRF610STRLPBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| IRF610STRL Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IRF610SPBF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.3A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
