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IRF460
- 场效应管 MOSFET N沟道 TO-3 - IRF460
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IRF460
制造商型号:
IRF460
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 TO-3
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 TO-3
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 21A
漏源电压, Vds: 500V
在电阻RDS(上): 270mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 300W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-3
针脚数: 2
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 300W
功耗, Pd: 300W
单脉冲雪崩能量 Eas: 1200mJ
安装孔中心距: 30mm
封装/箱盒: TO-3
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
引脚节距: 11mm
晶体管数: 1
最大重复雪崩能量 Ear: 30mJ
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 21A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 500V
电压, Vgs 最高: 4V
电流, Idm 脉冲: 84A
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
表面安装器件: 通孔
重复雪崩电流, Iar: 21A
重量: 11.5g
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
手机网站相关详细信息:
IRF460
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
IRF460
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: IRF460 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 TO-3
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