| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF3710ZPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，59A，HEXFET，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB 型号：IRF3710ZPBF 仓库库存编号：IRF3710ZPBF-ND 别名：*IRF3710ZPBF <br>SP001564400 <br> | | 搜索 |
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 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14Milliohms; ID 59A; TO-220AB; PD 160W; -55deg 型号：IRF3710ZPBF 仓库库存编号：70016957 |  | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 100 V 42 A 160 W TO-220AB, IRF3710ZPBF, IR 型号：IRF3710ZPBF 仓库库存编号：171-37-409 | | 搜索 |
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IRF3710ZPBF | 1013470 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
IRF3710ZPBF | 2565732 | INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 41 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 82 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2900 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 160000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.018 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 59 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 高度 | 8.77mm |
