型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF3709ZPB | International Rectifier | MOSFET,N沟道,30V,87A,HEXFET,TO220AB | 查看库存、价格及货期 |
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 87A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB 型号:IRF3709ZPBF 仓库库存编号:IRF3709ZPBF-ND 别名:*IRF3709ZPBF <br>SP001564614 <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRF3709ZPBF 品牌: Infineon 库存编号: 688-6847 | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 30 V 62 A 40 W TO-220AB, IRF3709ZPBF, IR 型号:IRF3709ZPBF 仓库库存编号:171-37-391 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 16 ns | |
典型接通延迟时间 | 13 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 17 nC V @ 4.5 | |
典型输入电容值@Vds | 2130 pF V @ 15 | |
安装类型 | 通孔 | |
封装类型 | TO-220AB | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 79000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大漏源电阻值 | 0.006 Ω | |
最大连续漏极电流 | 87 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
高度 | 8.77mm |