型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF3205PB | International Rectifier | MOSFET,N沟道,55V,110A,HEXFET,TO220AB | 查看库存、价格及货期 |
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IRF3205PBF![]() | 1704017 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
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![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; TO-220AB; PD 200W; gFS 44S 型号:IRF3205PBF 仓库库存编号:70016950 | ![]() | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRF3205PBF 品牌: Infineon 库存编号: 919-4763 | 搜索 | ||
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![]() | IRF3205PB International Rectifier | MOSFET,N沟道,55V,110A,HEXFET,TO220AB![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB 型号:IRF3205PBF 仓库库存编号:IRF3205PBF-ND 别名:*IRF3205PBF 64-0085PBF 64-0085PBF-ND SP001559536 | 无铅 | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 55 V 110 A 200 W TO-220AB, IRF3205PBF, IR 型号:IRF3205PBF 仓库库存编号:171-37-359 | 搜索 |
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典型关断延迟时间 | 50 ns | |
典型接通延迟时间 | 14 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 146 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 3247 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.69mm | |
封装类型 | TO-220AB | |
尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 200 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 55 V | |
最大漏源电阻值 | 0.008 Ω | |
最大连续漏极电流 | 110 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.54mm | |
高度 | 8.77mm |