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IRF2807ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF2807ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 71nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF2807ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF2807ZSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 75V, 89A, D2-PAK
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IRF2807ZSPBF [更多] | International Rectifier |
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IRF2807ZSPB | International Rectifier | MOSFET,N沟道,75V,89A,D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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IRF2807ZSPBF![]() | 8657530 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRF2807ZSPBF 品牌: Infineon 库存编号: 913-3985 | 搜索 | ||
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典型关断延迟时间 | 40 ns | |
典型接通延迟时间 | 18 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 71 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 3270 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 9.65mm | |
封装类型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 170000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 75 V | |
最大漏源电阻值 | 0.009 Ω | |
最大连续漏极电流 | 89 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |