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IRF2804STRL7PP|International RectifierIRF2804STRL7PP
International Rectifier
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Rohs

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无图IRF2804STRL7PP-BKN
IR
Trans MOSFET N-CH 40V 280A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
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Infineon Technologies - IRF2804STRL7PP - MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 330W(Tc) D2PAK(7-Lead)

型号:IRF2804STRL7PP
仓库库存编号:IRF2804STRL7PPCT-ND
别名:IRF2804STRL7PPCT
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Infineon - IRF2804STRL7PP - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804STRL7PP, 320 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRF2804STRL7PP
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2799
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IRF2804STRL7PP
INFINEON IRF2804STRL7PP
2725882

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V

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IRF2804STRL7PP|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF2804STRL7PP
制造商型号: IRF2804STRL7PP
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 IRF2804S-7P
产品相片 D2Pak_TO-263_6leads
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRF2804S-7P Saber Model
IRF2804S-7P Spice Model
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)160A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.6 毫欧 @ 160A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6930pF @ 25V
功率 - 最大值330W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商器件封装D2PAK(7-Lead)
其它名称IRF2804STRL7PP-ND
IRF2804STRL7PPTR

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