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IRF1902PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF1902PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 4.2A, 85 MOHM, 5 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF1902PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | IRF1902PbF |
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产品相片 | 8-SOIC |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 95 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 85 毫欧 @ 4A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 310pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | *IRF1902PBF |