型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EZSTRLP 库存编号:IRF1010EZSTRLPTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 0 100起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRF1010EZSTRLP 库存编号:IRF1010EZSTRLPDKR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 0 1起订 | 1+ | ¥20.56 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRF1010EZSTRLP 库存编号:IRF1010EZSTRLPCT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EZSTRLP 库存编号:87890409 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | 0 320起订 | 320+ | ¥15.74 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EZSTRLP 库存编号:2777388 | Infineon Technologies AG | , MOSFET, N, 60V, 84A, TO-263 | 0 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 5000+ | ¥20.65 ¥16.99 ¥13.32 ¥10.27 ¥10.27 ¥10.27 | 1-2周 | 询价 查看资料 |
IRF1010EZSTRLP 库存编号:2777388RL | Infineon Technologies AG | , MOSFET, N, 60V, 84A, TO-263 | 0 100起订 | 100+ 500+ 1000+ 5000+ | ¥13.32 ¥10.27 ¥10.27 ¥10.27 | 1-2周 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies AG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 60V, 0.0085OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 78 1起订 | 1+ 16+ 56+ | ¥40.2 ¥25.13 ¥22.11 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EZSTRLP | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF1010EZSTRLP International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF1010EZSTRLP International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK 型号:IRF1010EZSTRLP 仓库库存编号:IRF1010EZSTRLPCT-ND 别名:IRF1010EZSTRLPCT <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | IRF1010EZ(S,L)PbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 75A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8.5 毫欧 @ 51A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2810pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 140W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
产品目录页面 | 1521 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IRF1010EZSTRLPTR |