型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EPBF 库存编号:942-IRF1010EPBF | Infineon Technologies AG | MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC | 948 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+ 5000+ | ¥15.01 ¥10.7 ¥9.06 ¥7.6 ¥7.23 ¥7.1 ¥6.71 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EPBF 库存编号:IRF1010EPBF | Infineon Technologies AG | Power MOSFET, N Channel, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Through Hole - Rail/Tube (Alt: IRF1010EPBF) | 215 50起订 | 50+ | ¥5.92 | 1-2周 | 购买 |
IRF1010EPBF 库存编号:63J7165 | Infineon Technologies AG | Power MOSFET, N Channel, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Through Hole - Bulk (Alt: 63J7165) | 0 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥20.32 ¥15.43 ¥13.12 ¥10.77 ¥10.61 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EPBF 库存编号:87516317 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 15起订 | 15+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 10000+ | ¥12.15 ¥10.39 ¥8.58 ¥8.14 ¥7.33 ¥7.25 | 1-2周 | 询价 |
IRF1010EPBF 库存编号:68483021 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 77起订 | 77+ | ¥18.02 | 1-2周 | 询价 |
IRF1010EPBF 库存编号:85989473 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 391起订 | 391+ | ¥12.9 | 1-2周 | 询价 |
IRF1010EPBF 库存编号:88042736 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 391起订 | 391+ | ¥12.9 | 1-2周 | 询价 |
IRF1010EPBF 库存编号:65553020 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 14起订 | 14+ | ¥5.61 | 1-2周 | 询价 |
IRF1010EPBF 库存编号:69266493 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 66起订 | 66+ | ¥4 | 1-2周 | 询价 |
IRF1010EPBF 库存编号:87765208 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 12起订 | 12+ | ¥6.67 | 1-2周 | 询价 |
IRF1010EPBF 库存编号:62306739 | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | 0 15起订 | 15+ | ¥5.94 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EPBF 库存编号:IRF1010EPBF | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 81A, 170W, TO220AB | 190 1起订 | 1+ 10+ 50+ 100+ 250+ 500+ 1000+ | ¥15.33 ¥11.38 ¥10.77 ¥9.45 ¥8.88 ¥7.91 ¥7.55 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EPBF 库存编号:5411714 | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Channel 60V 84A TO220AB, EA | 237 1起订 | 1+ 25+ 100+ 250+ 500+ | ¥14.1 ¥13.87 ¥13.51 ¥13.13 ¥12.81 | 1-3周 | 购买 |
IRF1010EPBF 库存编号:1781449 | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Channel 60V 84A TO220AB, TU | 8 50起订 | 50+ 250+ | ¥12.57 ¥11.31 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF1010EPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF1010EPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF1010EPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IRF1010EPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 12 Milliohms; ID 84A; TO-220AB; PD 200W; gFS 69S 型号:IRF1010EPBF 仓库库存编号:70016934 | ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB 型号:IRF1010EPBF 仓库库存编号:IRF1010EPBF-ND 别名:*IRF1010EPBF <br>SP001569818 <br> | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF1010EPBF![]() | 8647968 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
IRF1010EPBF![]() | 2565814 | INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB ![]() | 搜索 |
数据列表 | IRF1010EPbF |
---|---|
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRF1010EPBF Saber Model IRF1010EPBF Spice Model |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 84A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 12 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3210pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF1010EPBF |