| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPUH6N03LB%20G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IPUH6N03LB G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK  | 查价格库存 查看详细 |
 | IPUH6N03LBG Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3 型号：IPUH6N03LB G 仓库库存编号：IPUH6N03LB G-ND 别名：IPUH6N03LBGX <br>SP000209114 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IPxH6N03LB G |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6.3 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 40µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2800pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 83W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 其它名称 | IPUH6N03LBGX SP000209114 |
