数据列表 | IP(D,F,S,U)06N03LA G |
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产品相片 | DPAK_369D?01 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
标准包装 | 1,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 50A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.9 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 40µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2653pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 83W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
产品目录页面 | 1617 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IPU06N03LA IPU06N03LAGIN IPU06N03LAGX IPU06N03LAGXTIN IPU06N03LAGXTIN-ND IPU06N03LAIN IPU06N03LAIN-ND SP000017594 |