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Infineon Technologies		MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPSH4N03LA G|Infineon TechnologiesIPSH4N03LA G
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
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Infineon Technologies - IPSH4N03LA G - MOSFET N-CH 25V 90A IPAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3

型号：IPSH4N03LA G
仓库库存编号：IPSH4N03LA G-ND
别名：IPSH4N03LAGX <br>SP000016331 <br> 		无铅搜索
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPSH4N03LAG
制造商型号： IPSH4N03LAG
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-KANAL POWER MOS
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:25 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:90 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:7.6 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-251
封装:Tube
下降时间:4.6 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:94 W
上升时间:7 ns
典型关闭延迟时间:29 ns

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