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| IPP230N06L3%20G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IPP230N06L3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3 型号：IPP230N06L3 G 仓库库存编号：IPP230N06L3 G-ND 别名：IPP230N06L3G IPP230N06L3GXKSA1 SP000453648 SP000680886 | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IPB,IPP230N06L3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 23 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 11µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 36W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IPP230N06L3G SP000453648 SP000680886 |
