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IPP093N06N
制造商型号: IPP093N06N
制造商: Infineon
描述: MOSFET,N沟道,60V,50A,OptiMOS3,TO220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间20 ns
典型接通延迟时间15 ns
典型栅极电荷@Vgs36 nC V @ 0 至 10
典型输入电容值@Vds2900 pF V @ 30
安装类型通孔
宽度15.95mm
封装类型PG-TO-220-3
尺寸10.36 x 15.95 x 4.57mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散71 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值9.3 mΩ
最大连续漏极电流50 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别直流/直流转换器、驱动、SMPS、同步整流
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.36mm
高度4.57mm

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