数据列表 | IPL60R299CP |
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产品相片 | IPL60R385CP |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11.1A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 299 毫欧 @ 6.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 440µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1100pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 96W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-TSFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | PG-VSON-4 |
其它名称 | IPL60R299CP-ND IPL60R299CPAUMA1 SP000841896 |