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产品信息

制造商: Infineon

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 30 V

闸/源击穿电压: +/- 16 V

漏极连续电流: 80 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.7 mOhms

配置: Single

最大工作温度: + 175 C

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-262

封装: Tube

下降时间: 13 ns

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 136 W

上升时间: 9 ns

工厂包装数量: 500

典型关闭延迟时间: 62 ns

手机网站相关详细信息：IPI80N03S4L03
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• 型号: IPI80N03S4L03 品牌: Infineon Technologies 备注: MOSFET

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